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BSP296NH6327XTSA1  与  BSP296N H6433  区别

型号 BSP296NH6327XTSA1 BSP296N H6433
唯样编号 A-BSP296NH6327XTSA1 A-BSP296N H6433
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta) -
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 329mΩ
上升时间 - 3.8ns
Qg-栅极电荷 - 6.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 152.7pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.66S
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 1.2A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 1.2A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 5.2ns
高度 - 1.6mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W
典型关闭延迟时间 - 18.4ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 100uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSP296
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.2A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 100V -
典型接通延迟时间 - 3.5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP296NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP296N H6327_TO-261-4,TO-261AA

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ZVN4310GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223-3

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BSP296NH6433XTMA1_6.5mm

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